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霍尔效应测试系统-高磁场

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产品名称: 霍尔效应测试系统-高磁场
产品型号: JH60B
产品展商: 锦正仪器
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简单介绍

JH60B霍尔效应测试系统-高磁场可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等; 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等; 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等JH60B霍尔效应测试系统-高磁场


霍尔效应测试系统-高磁场  的详细介绍

霍尔效应测试系统JH60B-高磁场

产品概述:

   本仪器系统由:电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall

Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。

此处只列出系统的主要技术指标。

可测试材料: Ø

 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等;Ø 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等;

         高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

技术指标:

* 磁 场:10mm 间距为 2T 20mm 间距为 1.3T

* 样品电流:0.05uA~50mA(调节 0.1nA)

* 测量电压:0.1uV~30V ▲ 提供各类测试标准材料,各级别硅与砷化镓(灵敏度与精度不同)

* 分辨率:0.1GS

* 磁场范围:0-1T

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

* 霍尔系数、载流子浓度等参数的变化曲线

* 电阻率范围:10-7 ~1012 Ohm*cm

电阻范围:10 m Ohms~ 6MOhms

载流子浓度:103 ~1023 cm -3 

迁移率:0.1~108 cm 2 /volt*sec 

*测试全自动化,一键处理

高精度电磁铁:

极头直径 100mm;

N,S 间距 10mm 时磁场 20000Gs;

N,S 间距 20mm 时 13000 高斯;

N, S 间距 30mm 时磁场 10000 高斯;

均匀区:间距 60mm 时直径 10mm 均匀度范围;1%

 自重 210 公斤; 含支架及轮子

高精度高斯计:

精度:读数的±0.30%

分辨力:0.01mT 量程:0-3T

探头厚度:1.0mm

长度 100mm 数字

Rs-232 接口数据读取软件配 GF-80探头

高精度双极性恒流电源输出: ±10A±40V 功率;400W

① 电源输出电流可在正负额定电流之间连续变化

② 电流可以平滑过零点,非开关换向

③ 输出电流、电压四象限工作(适合感性负载)

④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007~0.3 F.S./s(F.S.为额定输出电流)

※ 电流稳定度高,纹波低

①电流稳定度:优于±25ppm/h(标准型);优 于±5ppm/h(高稳型) ② 电流准确度:±(0.01%设定值+1mA) ③ 电流分辨率:20 bit,例 15A 电源,电流分辨率为 0.03mA

④ 源效应:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供电电压变化 10%时,输出电流变化量)

⑤ 负载效应:≤ 2.0×10-5 F.S.(在负载变化 10%时,输出电流变化量)

⑥ 电流纹波(RMS):小于 1mA

高精度高斯计:

 高斯计探头支架及样品架 全铝非导磁支架 5-70mm 可调;

样品架夹具(按要求定制);

 霍尔效应系统软件:可数字化调节磁场及电流,测试各类材料参数,

 恒流源及测试表:

恒流源量程:±50nA-±50mA;

分辨力 0.1nA 在量程范围内连续可调;

高精度电压数采仪范围 0. 1uV-30V

精度:0.01%

内置测试矩阵转换卡; 7 1 欧姆接触套件 根据不同材料的欧姆接触制作套件

测试软件:


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