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永磁体霍尔效应测试仪

如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称: 永磁体霍尔效应测试仪
产品型号: JH60
产品展商: 锦正仪器
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简单介绍

永磁体霍尔效应测试仪可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等; 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等; 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等永磁体霍尔效应测试仪


永磁体霍尔效应测试仪  的详细介绍


JH60永磁体霍尔效应测试


产品简介:

霍尔效应系统组成:本仪器系统由永磁体、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高精度高斯计和系统软件组成。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrieroncentration)、

表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。

可测试材料:

半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等;

低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等;

高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

技术指标:

* 磁 场:大于 5000 高斯(间距 18mm)

* 样品电流:±50 纳安~±50 毫安(可调节电流为 0.1nA)

* 测量电压:0.1 微伏~30 伏

* 提供各类测试标准材料,各级别硅与砷化镓(灵敏度与精度不同)

* 分辨率: 1GS

* 磁场范围: 0.5T

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

* 电阻率范围:10-7~1011 Ohm*cm

* 电阻范围:10 m Ohms~ 6MOhms

* 载流子浓度:103~1022cm-3

* 迁移率:0.1~108 cm2/volt*sec

* 温区:常温

* 测试全自动化,一键处理

* 专业的欧姆接触组合套件

JH60 测试时,只需要输入三个关键参数即可进行测量,磁场的转换为手动转换,需要转换磁场方向时程序会弹出信息框,根据测试程序的提示完成相应的操作即可获得样品需要的参数。

测量时只需要设置好样片通过的电流、样片所在磁场环境的磁场大小、样品厚度即可进行测量,数据可以绘图,可以导出至 EXCEL 中以便后期处理及使用。

 

系统构成

永磁体霍尔效应测试系统由永磁体、高斯计、恒流源、计算机及软件组成。其中,高

斯计测量永磁体磁场值;恒流源一方面给样品提供电流,用于霍尔效应测试,一方面可以测

量样品电压;被测样品置于样品板上,由固定针固定;计算机连接高斯计、恒流源,通过软

件实现控制通过被测样品的电流,并获取测得的电压值。

 

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